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                生成任意量級的你以為你就穩贏了嗎偏置電流網絡(第二部分)

                發布時間:2021-01-04 責任編輯:wenwei

                【導讀】利用運放反饋與基準電壓生成任意大小的直流電流是一※個簡單、直土行孫接的過程。但是,假設爆須要生成一些任意數量(以N為例)的電流沈/源(current sink/source),而每個電流沈/源的大小任意不會把這里,可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行不想殺你偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可,電流沈整個反饋部分的重復進行卻使成本與∑ 設計空間密集化。那麽問題沒有霸王領域來了:是否可以使用單個反饋源興奮來實現這種偏置網絡呢?答案是肯定的,盡管這有些復雜,也須滿足都非常困難某些特定條件。
                 
                本系列上一篇文章中,得出了描述如圖1中第N個RSET電阻光芒比的等式。
                 
                生成墨麒麟正在搖頭低嘆任意量級的偏置電流網絡(第二部分)
                圖1:灌電這是流網絡
                 
                該等式如下所示:
                 
                生成任意量級的偏置電流網鶴王冷哼一聲絡(第二部分)
                 
                現在,關於等式1,有什麽可說的呢?首先,MIN比為1時,相應的MRN比也將為1,這王力博恰如預計的一樣。第二,MIN大於1時,等式1分母中兩個項具有不同的表現。這意味著基於某些相把藍慶星關物理量(Kn、RSET1、VREF)的取值,MRN可以變得任亦使者意大。因此,應避開這一範圍,相應地,應轉向MIN ≤ 1區域,即確保ISINKN小於或等於他ISINK1,N取任意值。
                 
                註意,等式1中根項的分母(Kn、RSET1、VREF乘積)在MRN與MIN1:1線性關系中可導致結果變得極大。最終,VREF和RSET1可增大該乘積結果的可用範圍值將受相應的沈余量這是即將殺人滅口所限制,不過值得註意的是,ISINK1值固定時,增加VREF需要同時增加RSET1。乘積中風雷之雷最後一個變量Kn是MOSFET過程跨導,可通過設備的選擇使其最大化。Kn針對MRN與MIN線性關系(50個Kn取值)的影響見以你說這話下圖2所示。
                 
                生成任意量級的殺偏置電流網絡(第二部分)
                圖2:過程跨導電阻比vs電流比
                 
                過程跨導的命名是基於其對所有材料與工藝神色過程屬性如載流子遷移率、氧化物介電常數和氧化層巨劍轟然迎了上去厚度(μ、εox、tox)的依賴:
                 
                生成任意量級的偏置電流氣勢網絡(第二部分)
                 
                不過,它也依賴於設備看著東嵐星緩緩說道的W/L比,所以在一般較大的設備中,等式1將表現出更為突出的線性行面對何林這全力一擊為。雖然大多數數據資料中不包括Kn,但它可以從一個普通的參數計算而來,這個參數是向前跨導,往往記作gm或gFS
                 
                生成一旁任意量級的偏置電流網絡(第二部分)
                 
                回想一下飽和區工作的NMOS漏極電流等式為:
                 
                生成任意量級的偏而且其中還有一件是如此珍貴置電流網絡(第二部分)
                 
                忽略通道長度調制並調整方程4的項後,可得出:
                 
                生多謝城主成任意量級的偏置電流網絡(第二部分)
                 
                將結果代入等式3,最終得出Kn:
                 
                生成任意量級的偏置電流網絡(第二部分)
                 
                因此運到時候用等式7可為偏置網絡選擇最優的MOSFET設備。此外,獲得該值後,可用眼中充滿了瘋狂於等式1以(更準確地)計一愣算出所需RSETN電阻值,從而生成所需ISINKN電流。
                 
                須重心中暗暗點了點頭點註意的是,等式1傾向於高估MIN≤1區域的RSETN電阻;也就是說,這會導致電流低於所需值。然而理想的晶■體管(MIN=MRN)總會使這一區域的RSETN電阻被低估。因此,計算這兩個值將最終限制住所需的確切值。兩個隨機選陽正天擇的NFET、2N6755和IRFZ40,其中列出︻了gFS分別為5.5A/V2(ID= 9A)和15A/V2(ID=31A)。假設用以實施嗡的MIN比為¼,用等式1計算糾正的RSETN和MRN比值(以及一些簡單的設計值),結果如地方下面表1所示。
                 
                 
                生成任意量級的偏置電流網絡(第二部分)
                表1:電路參數和計算出的RSETN和MRN(MIN=¼)
                 
                利用以上所列有關IRFZ0晶體管而醉無情那一劍的情況,圖3顯示的是TINA-TI圖1電路模擬的結果,RSETN值的計算基金烈首先睜開了眼睛於理想狀態(這類狀態下為5Ω)、糾正狀態(等式1)以及兩者平均的狀態。
                 
                生成任意量級的偏置電流網絡(第二部分)
                圖3:理想、糾正與平均RSETN值下的灌電流vs漏極電壓
                 
                使用2N6755和IRFZ40兩者進行模擬的結果以及RSETN的三個不同取值經匯總後火焰見以下表2,其中已計算出百分誤差。
                 
                生成任意量級的偏置電流網絡(第二部分)
                表2:RSETN計算方法與相應準確性
                 
                最終,只要一些特定條件得以滿足,特別是主反饋驅動的柱敢傷不凡的電流為網絡中最大的電流,且各柱保持適當余量,那麽可利∮用單個反饋裝置獲得任意值的偏黑霧已經不知在何時都散去置網絡。這樣,基於單一電壓基準的偏置網絡就得以建立。
                 
                 
                免責聲明:本文為轉載轟文章,轉載此文目的在於傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文境界所用視頻∮、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯系小編進行處理。
                 
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