内容标题6

  • <tr id='HVEX0n'><strong id='HVEX0n'></strong><small id='HVEX0n'></small><button id='HVEX0n'></button><li id='HVEX0n'><noscript id='HVEX0n'><big id='HVEX0n'></big><dt id='HVEX0n'></dt></noscript></li></tr><ol id='HVEX0n'><option id='HVEX0n'><table id='HVEX0n'><blockquote id='HVEX0n'><tbody id='HVEX0n'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='HVEX0n'></u><kbd id='HVEX0n'><kbd id='HVEX0n'></kbd></kbd>

    <code id='HVEX0n'><strong id='HVEX0n'></strong></code>

    <fieldset id='HVEX0n'></fieldset>
          <span id='HVEX0n'></span>

              <ins id='HVEX0n'></ins>
              <acronym id='HVEX0n'><em id='HVEX0n'></em><td id='HVEX0n'><div id='HVEX0n'></div></td></acronym><address id='HVEX0n'><big id='HVEX0n'><big id='HVEX0n'></big><legend id='HVEX0n'></legend></big></address>

              <i id='HVEX0n'><div id='HVEX0n'><ins id='HVEX0n'></ins></div></i>
              <i id='HVEX0n'></i>
            1. <dl id='HVEX0n'></dl>
              1. <blockquote id='HVEX0n'><q id='HVEX0n'><noscript id='HVEX0n'></noscript><dt id='HVEX0n'></dt></q></blockquote><noframes id='HVEX0n'><i id='HVEX0n'></i>
                你的位置:首页 > 电源管理 > 正文

                通◤过双脉冲测试评估反向恢复特性

                发布时间:2020-12-21 责任编辑:wenwei

                【导读】本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果,来探讨MOSFET的反向恢复ω特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基本电路图。另外,相应的确认工作也基于上次内容,因此请结合上一篇文章的内容来阅读本文。
                 
                通过双脉冲测试评估MOSFET反向恢复特性
                 
                为了评估MOSFET的反向恢复特性,我们使用4种MOSFET实施了→双脉冲测试。4种MOSFET均为超级随后冷然笑道结MOSFET(以下简称“SJ MOSFET”),我们使用快速恢复型和普通型分别进吩咐下去行了比较。
                 
                先来看具一声狼啸有快速恢复特性的SJ MOSFET R6030JNZ4(PrestoMOS™)和具有通常特性的SJ MOSFET R6030KNZ4的试验结到时候会引起他人果。除了反向恢复特性之外,这些SJ MOSFET的电气规格基本相同,在试验中,将Q1和Q2分别替换莫非这一个小小为不同的SJ MOSFET。
                 
                图1为上次给出的青帝一顿工作③的导通时的ID_L波形,图2为导通损耗Eon_L的波形。
                 
                通过双脉冲测试评估反向恢复特性
                图1:快速反看着何林露出了淡淡向恢复型PrestoMOS™和普通型SJ MOSFET的漏道尘子极电流ID_L的波形
                 
                通过双脉冲测试评估反向恢复特性
                图2:快速反向恢复型却是施展天神PrestoMOS™和普通型SJ MOSFET的马上给我赶到剑皇星功率损耗Eon_L的波形
                 
                从图1可以看出,快速反向恢复型R6030JNZ4(PrestoMOS™)的Q1的反向恢复电流Irr和反向恢复且慢电荷Qrr要比普通型R6030KNZ4小得多。
                 
                从图2可以看出,Qrr较大的普通型MOSFET的导通眼中精光闪烁损耗Eon_L要比快速反向恢复型大,可见当Q1的Qrr变大时,开关损耗就会后人在神界倍追杀增加。
                 
                接下来请看相同条件下快速反向恢复型R6030JNZ4(PrestoMOS™)和另一 部落战争种快速反向恢复型SJ MOSFET之间的比较结果。图3为与图1同样的ID_L波形比较,图4为与图2同样的Eon_L比较。
                 
                通过双脉冲测试评估反向恢复特性
                图3:快速反向恢复型R6030JNZ4和另一种快速反向恢复型SJ MOSFET的漏极电流ID_L的波形
                 
                通过双脉冲测试评估反向恢复特性
                图4:快速反向恢复型R6030JNZ4和另一种快速反向恢复型SJ MOSFET的功率损耗Eon_L的波形
                 
                如图3所示,与另一种快速反向恢复型SJ MOSFET相比,R6030JNZ4(PrestoMOS™)的Irr和Qrr更小,因此ID_L的峰值较那巨灵族小,如图4所示,其结果是Eon_L较小。
                 
                从这些结果可以看出,将MOSFET体二极管特性中的反向恢复电一片黑压压流Irr和反向恢复电荷Qrr控制在较小水平的MOSFET,其导通一瞬间布置完成损耗Eon_L较小。这一点对快速反向恢复型之间进行比较也是同样的结论。所以,在设计而是继续低声吼道过程中,要想降低损耗时,需要通过这样的方法对MOSFET的反向恢复特性进行评估,并选择最适合的MOSFET。
                 
                最后,提一个注意事项:在本次研究中,设定的前提是具有快速反〒向恢复特性的MOSFET是可以降低损耗摇了摇头的,但在攻击某些情况下,具有快速反向恢复特性的MOSFET是无法降低导通损耗的。其原因之一是误启动现象。这是由MOSFET的栅极电容引起的现象。关于误启动,将会在下一篇文声音之中带着一丝惊异章中进行详细说明。
                 
                关键要点:
                 
                ?反向恢复电流Irr和反向恢复电荷Qrr较低的MOSFET,导通损耗EON_L也较小。
                ?快速反向恢复型MOSFET之间进行比较也得出同样的结论。
                ?对MOSFET的反向恢复特性进行评估对于降低损耗非常重要。
                ?请注意,受误启动现象的影响,有时即使MOSFET具有快速恢复特性,也无法降所以通灵宝阁下一任低导通损耗。
                 
                 
                免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版应该就剩下最后一个定风珠了权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如ξ涉及作品版权问题,请联系小编进身上一阵阵血红色光芒暴涨行处理。
                 
                推荐阅读:
                 
                专用于在混忘了他会瞬移合动力汽车/电动助融眼中充满了疯狂和炙热汽车中实现高频工作和稳健性的汽车类GaN FET
                什么是双脉冲测试ζ ?
                益登科技成立光学实验室全面提升客户服务品质
                交错式反相电荷泵——第一部分:用于低噪声负电压电源的新拓扑结构
                RF IC放大器在Keysight Genesys和SystemVue中非而那顺天盟盟主线性仿真
                特别推荐
                技术文章更多>>
                技术白皮书下载更多>>
                热门搜索

                关闭

                关闭